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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0712062 (2003-11-14) |
등록번호 | US-7427780 (2008-09-23) |
우선권정보 | JP-8-026210(1996-01-19); JP-8-026037(1996-01-20); JP-8-032874(1996-01-26); JP-8-032875(1996-01-26); JP-8-032981(1996-01-27); JP-8-058334(1996-02-20); JP-8-088759(1996-03-17); JP-8-326068(1996-11-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 13 인용 특허 : 287 |
There is disclosed a method of fabricating a thin-film transistor having excellent characteristics. Nickel element is held in contact with selected regions of an amorphous silicon film. Then, thermal processing is performed to crystallize the amorphous film. Subsequently, thermal processing is carri
What is claimed is: 1. A semiconductor device comprising: a channel region provided over a substrate and between a source region and a drain region; a gate electrode provided over said substrate and provided adjacent to said channel region with a gate insulating film between said gate electrode and
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