최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0560067 (2004-06-08) |
등록번호 | US-7439585 (2008-10-21) |
국제출원번호 | PCT/IB04/001849 (2004-06-08) |
§371/§102 date | 20051207 (20051207) |
국제공개번호 | WO04/109809 (2004-12-16) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 2 |
A Silicon on Insulator (SOI) device is disclosed wherein an extension of P-type doping (303) is implanted between the buried oxide layer of the device and the SOI layer. The extension is of a size and shape to permit the source (309) to be biased at a voltage significantly less than the handler wafe
What is claimed is: 1. A Silicon on Insulator (SOI) device having an SOI region, a buried oxide region, and a P-Type inversion region, the P-type inversion region forming a first junction with the buried oxide layer and a second junction with the SOI layer, the buried oxide layer forming a third ju
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.