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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0480041 (2006-06-30) |
등록번호 | US-7443225 (2008-10-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 8 |
A semiconductor power device includes a circuit to provide a gate signal wherein the gate signal has a negative temperature coefficient of gate driving voltage for decreasing a gate driving voltage with an increase temperature whereby the semiconductor power device has a net Ids temperature coeffici
We claim: 1. A semiconductor power device comprising: a circuit for providing a gate driving voltage to a gate of said semiconductor power device wherein said gate driving voltage having a negative temperature coefficient for providing a decreasing gate driving voltage with an increasing temperatur
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