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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0570663 (2004-09-08) |
등록번호 | US-7446016 (2008-11-04) |
우선권정보 | JP-2003-315988(2003-09-08) |
국제출원번호 | PCT/JP04/013069 (2004-09-08) |
§371/§102 date | 20060306 (20060306) |
국제공개번호 | WO05/024917 (2005-03-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 4 |
A bonded SOI substrate having an active layer which is free from crystal defects is obtained by adding more than 9��1018 atoms/cm3 of boron to a wafer for active layer (10). Since the boron concentration in the wafer for active layer is high, a silicon oxide film is formed at a high rate. Consequen
What is claimed is: 1. A method for producing a bonded wafer, comprising: growing a silicon epitaxial layer comprising boron having a concentration of 8��1018 atoms/cm3 to 2��1019 atoms/cm3 on an active layer silicon wafer; forming an insulating film in a surface of said silicon epitaxial layer; fo
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