[특허]Reverse reaction sintering of SiN/SiC composites

Reverse reaction sintering of SiN/SiC composites 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C04B-035/577 C04B-035/565 C04B-035/596 C04B-035/584 B32B-018/00
출원번호	US-0279461 (2006-04-12)
등록번호	US-7446066 (2008-11-04)
발명자 / 주소	Sun,Jai Lin
출원인 / 주소	Sun,Jai Lin
대리인 / 주소	Brannon,C. John
인용정보	피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 22

초록 ▼

A method of making a composite sintered silicon nitride/silicon carbide body, including mixing a predetermined amount of silicon nitride powder with a predetermined amount of silicon carbide powder, heat-treating the resultant mixed powder at a temperature of between about 800 and 1500 degrees Celsius in a substantially nitrogen sintering atmosphere, and producing a thin film of silica around individual silicon nitride and silicon carbide grains. The thin film of silica is useful in retarding the diffusion of oxygen to the silicon nitride particles, slowing their oxidation. The pressure of the sintering atmosphere is not substantially greater than atmospheric pressure.

대표청구항 ▼

What is claimed is: 1. A substantially dense sintered body comprising: silicon carbide grains; a SiO2/Si2N2O matrix; and silicon nitride grains substantially evenly distributed throughout the SiO2/Si2N2O matrix; wherein the silicon nitride grains are substantially finer than the silicon carbide grains; wherein the silicon carbide grains are substantially evenly distributed throughout the SiO2/Si2N2O matrix; wherein the silicon carbide grains have a substantially narrow particle size distribution; and wherein the silicon nitride grains are disposed within respective thin substantially silicon dioxide outer shells. 2. A sintered body, comprising: a matrix including a mixture of SiO2 and Si2N2O; a plurality of SiC grains dispersed in the matrix; and a plurality of Si3N4 grains dispersed in the matrix; wherein substantially all of the SiC and Si3N4 grains are disposed within respective vitreous shells. 3. The sintered body of claim 2 wherein the respective vitreous shells are substantially SiO2. 4. The sintered body of claim 2 wherein the respective vitreous shells are substantially a mixture of SiO2 and Si2N2O. 5. The sintered body of claim 2 and further including metallic Si dispersed in the matrix. 6. The sintered body of claim 5 wherein the metallic Si is present on the surfaces of at least some of the SiC grains. 7. The sintered body of claim 5 wherein the Si is present in at least some of the SiC grains. 8. The sintered body of claim 2 wherein at least some of the Si2N2O is crystallized. 9. The sintered body of claim 8 wherein at least some of the Si2N2O has the form of crystals disposed on the surfaces of Si3N4 grains. 10. A densified body, comprising: a substantially silica matrix; a plurality of SiC grains dispersed in the matrix; a plurality of Si3N4 grains dispersed in the matrix; and a plurality of Si2N2O crystals; wherein substantially all of the SiC and Si3N4 grains are disposed within respective substantially silica shells. 11. The densified body of claim 10 wherein the respective substantially silica shells are substantially vitreous. 12. The densified body of claim 10 wherein the Si2N2O crystals are generally located on the surfaces of the Si3N4 grains. 13. The densified body of claim 10 and further comprising metallic silicon distributed throughout the densified body. 14. The densified body of claim 13 wherein at least some of the SIC grains include voids and wherein the metallic silicon is disposed within at least some of the voids.

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