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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0698227 (2007-01-25) |
등록번호 | US-7476419 (2009-01-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 47 |
A method of chemical vapor infiltration and deposition includes stacking a number of porous structures in a stack in a furnace. The stack has a center opening region extending through the porous structures and an outer region extending along the porous structures. A first portion of a reactant gas
What is claimed is: 1. A method of chemical vapor infiltration and deposition, comprising stacking a number of porous structures in a stack in a furnace, wherein the stack has a center opening region extending through the porous structures and an outer region extending along the porous structures;
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