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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0046230 (2005-01-31) |
등록번호 | US-7476602 (2009-01-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 9 |
A method of forming a semiconductor device including forming a low-k dielectric material over a substrate, depositing a liner on a portion of the low-k dielectric material, and exposing the liner to a plasma. The method also includes depositing a layer over the liner.
What is claimed is: 1. A method of forming a semiconductor device comprising: forming a first layer comprising a first low-k dielectric over a substrate with a first surface exposing the first low-k dielectric to a plasma comprising nitrogen wherein the first layer comprises a nitrogen concentratio
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