$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

Method of manufacturing single crystal Si film

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/461
  • H01L-021/02
출원번호 US-0071175 (2005-03-04)
등록번호 US-7479442 (2009-01-20)
우선권정보 KR-10-2004-0101118(2004-12-03)
발명자 / 주소
  • Noguchi,Takashi
  • Xianyu,Wenxu
  • Yin,Huaxiang
출원인 / 주소
  • Samsung Electronics Co., Ltd.
대리인 / 주소
    Buchanan Ingersoll & Rooney PC
인용정보 피인용 횟수 : 14  인용 특허 : 12

초록

Provided is a method of manufacturing a single crystal Si film. The method includes: preparing a Si substrate on which a first oxide layer is formed and an insulating substrate on which a second oxide layer is formed; forming a dividing layer at a predetermined depth from a surface of the Si substr

대표청구항

What is claimed is: 1. A method of manufacturing a single crystal silicon film that includes: preparing a Si substrate on which a first oxide layer is formed and an insulating substrate on which a second oxide layer is formed; forming a dividing layer that is located less than 1000 Å below a

이 특허에 인용된 특허 (12)

  1. Francois J. Henley ; Michael A. Brayan ; William G. En, Cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses.
  2. Henley Francois J. ; Cheung Nathan, Controlled cleavage process and device for patterned films.
  3. Farrens Sharon N. ; Roberds Brian E., In situ plasma wafer bonding method.
  4. Tanaka, Koichiro, Laser irradiation apparatus.
  5. Kazuaki Ohmi JP; Takao Yonehara JP; Kiyofumi Sakaguchi JP; Kazutaka Yanagita JP, Method and apparatus for separating composite member using fluid.
  6. Sato Nobuhiko,JPX ; Matsumura Satoshi,JPX, Method for producing semiconductor base members.
  7. Goesele Ulrich M. ; Tong Q.-Y., Method for the transfer of thin layers of monocrystalline material to a desirable substrate.
  8. Kakizaki Yasuo,JPX ; Yonehara Takao,JPX ; Sato Nobuhiko,JPX, Process for producing semiconductor article.
  9. Bruel Michel (Veurey FRX), Process for the production of thin semiconductor material films.
  10. Sakaguchi Kiyofumi,JPX ; Yonehara Takao,JPX, Semiconductor article and method of manufacturing the same.
  11. Srikrishnan Kris V., Smart-cut process for the production of thin semiconductor material films.
  12. Kato Mitsuo (Sagamihara JPX), Substrate detecting system with edge detection, such as wafer or base material of semiconductor device or LCD.

이 특허를 인용한 특허 (14)

  1. Nishiki, Hirohiko; Okabe, Tohru, Display device manufacturing method and laminated structure.
  2. Kakehata, Tetsuya; Kuriki, Kazutaka, Method for manufacturing SOI substrate.
  3. Kakehata, Tetsuya; Kuriki, Kazutaka, Method for manufacturing SOI substrate.
  4. Takayama, Toru; Maruyama, Junya; Yamazaki, Shunpei, Method of peeling thin film device and method of manufacturing semiconductor device using peeled thin film device.
  5. Takayama, Toru; Maruyama, Junya; Yamazaki, Shunpei, Peeling method and method of manufacturing semiconductor device.
  6. Takayama, Toru; Maruyama, Junya; Yamazaki, Shunpei, Peeling method and method of manufacturing semiconductor device.
  7. Takayama, Toru; Maruyama, Junya; Yamazaki, Shunpei, Peeling method and method of manufacturing semiconductor device.
  8. Takayama, Toru; Maruyama, Junya; Yamazaki, Shunpei, Peeling method and method of manufacturing semiconductor device.
  9. Yamazaki, Shunpei; Suzuki, Kunihiko, Peeling method and peeling apparatus.
  10. Yasumoto, Seiji; Sato, Masataka; Eguchi, Shingo; Suzuki, Kunihiko, Peeling method, semiconductor device, and peeling apparatus.
  11. Takayama, Toru; Maruyama, Junya; Mizukami, Mayumi; Yamazaki, Shunpei, Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device.
  12. Takayama, Toru; Maruyama, Junya; Mizukami, Mayumi; Yamazaki, Shunpei, Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device.
  13. Takayama, Toru; Maruyama, Junya; Mizukami, Mayumi; Yamazaki, Shunpei, Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device.
  14. Takayama, Toru; Maruyama, Junya; Mizukami, Mayumi; Yamazaki, Shunpei, Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device.
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트