최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0550761 (2004-04-02) |
등록번호 | US-7491342 (2009-02-17) |
우선권정보 | JP-2003-099541(2003-04-02) |
국제출원번호 | PCT/JP04/004886 (2004-04-02) |
§371/§102 date | 20060109 (20060109) |
국제공개번호 | WO04/090986 (2004-10-21) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 29 인용 특허 : 6 |
The present invention provides a bonded substrate fabricated to have its final active layer thickness of 200 nm or lower by performing the etching by only 1 nm to 1 μm with a solution having an etching effect on a surface of an active layer of a bonded substrate which has been prepared by bondi
What is claimed is: 1. A manufacturing method of a bonded substrate having a final active layer thickness of 200 nm or less, comprising: a) providing a first silicon wafer as an active layer wafer and a second silicon wafer as a support substrate; b) forming silicon oxide film on a surface of said
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.