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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0598507 (2006-11-13) |
등록번호 | US-7491588 (2009-02-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 36 |
A method is provided in which for fabricating a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) circuit on a semiconductor-on-insulator (SOI) substrate. A plurality of field effect transistors (FETs) are formed, each having a channel region disposed in a common device layer within a single-crystal se
What is claimed is: 1. A method of fabricating a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) circuit on a semiconductor-on-insulator (SOI) substrate, the SOI substrate including a single-crystal semiconductor layer separated from a bulk semiconductor region by a buried oxide layer, said method c
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