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Method for producing SOI wafer

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/301
  • H01L-021/02
  • H01L-021/30
출원번호 US-0570354 (2004-09-02)
등록번호 US-7510948 (2009-03-31)
우선권정보 JP-2003-314758(2003-09-05)
국제출원번호 PCT/JP04/012728 (2004-09-02)
§371/§102 date 20060303 (20060303)
국제공개번호 WO05/024916 (2005-03-17)
발명자 / 주소
  • Morimoto,Nobuyuki
  • Nishihata,Hideki
출원인 / 주소
  • Sumco Corporation
대리인 / 주소
    Greenblum & Bernstein, P.L.C.
인용정보 피인용 횟수 : 5  인용 특허 : 6

초록

Hydrogen gas is ion-implanted into a wafer for active layer via an oxide film. The wafer for active layer is bonded with a supporting wafer using the oxide film as the bonding surface. The bonded wafer is subjected to a heat treatment at the temperature in a range of 400�� C. to 1000�� C. As a resul

대표청구항

What is claimed is: 1. A method for producing an SOI wafer, comprising ion-implanting a noble gas element in an active layer wafer via an insulating film to form an ion-implanted layer in the active layer wafer; subsequently bonding the active layer wafer with a supporting wafer via the insulating

이 특허에 인용된 특허 (6)

  1. Shaheen,Mohamad A.; Liu,Mark Y.; Taylor,Mitchell C., Arrangements incorporating laser-induced cleaving.
  2. Park, Jea-Gun; Lee, Gon-Sub; Lee, Sang-Hee, Method of fabricating nano SOI wafer and nano SOI wafer fabricated by the same.
  3. Mahawili Imad (Sunnyvale CA), Multi-zone planar heater assembly and method of operation.
  4. Schwarzenbach, Walter; Maleville, Christophe, Process for detaching layers of material.
  5. Bruel Michel (Veurey FRX), Process for the production of thin semiconductor material films.
  6. Ogura Atsushi,JPX, Silicon-on-insulator (SOI) substrate and method of fabricating the same.

이 특허를 인용한 특허 (5)

  1. Young, Gregory A.; Libbert, Jeffrey L., Clamping apparatus for cleaving a bonded wafer structure.
  2. Young, Gregory A.; Libbert, Jeffrey L., Clamping apparatus for cleaving a bonded wafer structure and methods for cleaving.
  3. Murakami, Satoshi; Morimoto, Nobuyuki; Nishihata, Hideki; Endo, Akihiko, Method of producing semiconductor substrate having an SOI structure.
  4. Young, Gregory A.; Libbert, Jeffrey L., Methods for cleaving a bonded wafer structure.
  5. Ries, Michael John; Libbert, Jeffrey L.; Witte, Dale A., Systems and methods for cleaving a bonded wafer pair.
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