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특허 상세정보
Composition for forming gap-filling material for lithography
| 국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC7판) | G03F-007/00 G03F-007/004 |
| 미국특허분류(USC) | 430/270.1; 430/286.1; 430/311; 430/313; 430/322; 430/323; 430/905; 430/910 |
| 출원번호 | UP-0311959 (2001-07-12) |
| 등록번호 | US-7517633 (2009-07-01) |
| 우선권정보 | JP-2000-210844(2000-07-12); JP-2000-298044(2000-09-29); JP-2001-167701(2001-06-04) |
| 국제출원번호 | PCT/JP01/006045 (2001-07-12) |
| §371/§102 date | 20021220 (20021220) |
| 국제공개번호 | WO02/005035 (2002-01-17) |
| 발명자 / 주소 |
|
| 출원인 / 주소 |
|
| 대리인 / 주소 |
|
| 인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 13 |
초록
A composition for forming a gap-filling material for lithography which, as a gap-filling material for lithography superior in planarization ability on a substrate having irregularities such as holes or trenches, causing no intermixing with a resist layer, and having a high dry etching rate as compared with the resist, is used in producing semiconductor devices by a method using the gap-filling material to cover the resist on the substrate having holes having an aspect ratio, defined as height/diameter, of 1 or more to transfer images onto the substrate b...
대표
청구항
The invention claimed is: 1. A method for applying a composition to a substrate for forming a gap-filling material, wherein the composition comprises a polymer solution comprising a polymer and a solvent and has a coefficient H of 0.046 or less, which is defined as (logarithmic change in viscosity (mPas))/(change in solid content concentration (% by weight)) and a viscosity of 1 to 80 mPas which is measured at a solid content concentration of 25% by weight; a cross-linking agent having at least two cross-linking forming functional groups; and a cross-li...
인용문헌 (13)
- Edward W. Rutter, Jr. ; Peter Trefonas, III ; Edward K. Pavelchek, Aperture fill.
- Kuang-Jung Chen ; Ronald Anthony DellaGuardia ; Hiroshi Ito ; George Michael Jordhamo ; Ahmad Dauod Katnani, Blends of hydroxystyrene polymers for use in chemically amplified positive resist formulations.
- Hien, Stefan; Sebald, Michael, Bottom resist.
- Wang Fei ; Singh Bhanwar ; Kai James K., Dual damascene process using sacrificial spin-on materials.
- Robert David Grober ; Scott Josef Bukofsky ; Paul Michael Dentinger ; James Welch Taylor, Methods and compositions for imaging acids in chemically amplified photoresists using pH-dependent fluorophores.
- Pavelchek Edward K. ; Adams Timothy G. ; doCanto Manuel ; Coley Suzanne ; Barclay George G., Planarizing antireflective coating compositions.
- Allen Robert David ; Hofer Donald Clifford ; Sooriyakumaran Ratnam ; Wallraff Gregory Michael, Process for using bilayer photoresist.
- White Lawrence K. (W. Windsor Township ; Mercer County NJ) Miszkowski Nancy A. (Lawrenceville NJ), Process of forming a resist structure on substrate having topographical features using positive photoresist layer and po.
- Nakamura Shigeo,JPX ; Oshimura Masahiko,JPX ; Mori Kenichi,JPX ; Yokota Tadahiko,JPX ; Koto Hiroyasu,JPX, Resin composition.
- Iwayanagi Takao (Nerima JPX) Hasegawa Norio (Nishitama JPX) Tanaka Toshihiko (Setagaya JPX) Shiraishi Hiroshi (Hachioji JPX) Ueno Takumi (Hachioji JPX) Hashimoto Michiaki (Yono JPX) Shirai Seiichiro , Resist pattern forming process with dry etching.
- Rogler Robert F. (Rehoboth MA), Selected novolak resin planarization layer for lithographic applications.
- Nakato Tatsuo ; Vidusek David A., Silylated photo-resist layer and planarizing method.
- Nakato Tatsuo (Vancouver WA) Vidusek David A. (Camas WA), Silylated photoresist layer and planarizing method.
이 특허를 인용한 특허 (4)
- Park, Jong Keun; Xu, Cheng-Bai; Hustad, Phillip D.; Li, Mingqi, Gap-fill methods.
- Sim, Jae Hwan; Lim, Jae-Bong; Jo, Jung Kyu; Ku, Bon-ki; Xu, Cheng-Bai, Gap-fill methods.
- Sim, Jae Hwan; Park, Jin Hong; Lim, Jae-Bong; Jo, Jung Kyu; Xu, Cheng-Bai; Park, Jong Keun; Li, Mingqi; Hustad, Phillip D., Gap-fill methods.
- Park, Jong Keun; Hustad, Phillip D.; Aqad, Emad; Li, Mingqi; Xu, Cheng-Bai; Trefonas, III, Peter; Thackeray, James W., Methods of forming electronic devices including filling porous features with a polymer.
