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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0155215 (2002-05-28) |
등록번호 | US-7518908 (2009-07-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 279 |
A method for operating an electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) array includes providing an array including a multiplicity of memory cells, wherein each memory cell is connected to a word line and to two bit lines, selecting one of the memory cells, and erasing a bit of the se
What is claimed is: 1. A method for operating an electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) array of non-volatile memory ("NVM") cells having one or more charge storage regions, said method comprising: mitigating disturb effect during an erase operation by selecting one of said me
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