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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0748472 (2007-05-14) |
등록번호 | US-7524742 (2009-07-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 11 |
A process and structure for a metal interconnect includes providing a substrate with a first electric conductor, forming a first dielectric layer and a first patterned hard mask, using the first patterned hard mask to form a first opening and a second electric conductor, forming a second dielectric
What is claimed is: 1. A metal interconnect structure, the metal interconnect structure being positioned on a substrate, and at least a first electric conductor being positioned on the substrate, the metal interconnect structure comprising: a first dielectric layer positioned on the substrate and c
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