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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0538001 (2006-10-02) |
등록번호 | US-7531403 (2009-07-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 0 |
SOI semiconductor components and methods for their fabrication are provided wherein the SOI semiconductor components include an MOS transistor in the supporting semiconductor substrate. In accordance with one embodiment the component comprises a semiconductor on insulator (SOI) substrate having a fi
What is claimed is: 1. A method for fabricating a semiconductor component including a semiconductor on insulator (SOI) substrate having a first semiconductor layer of first conductivity type, a layer of insulator on the first semiconductor layer, and a second semiconductor layer overlying the layer
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