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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0102152 (2008-04-14) |
등록번호 | US-7553608 (2009-07-09) |
우선권정보 | JP-2003-132517(2003-05-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 6 |
A resist pattern forming method includes preparing a photomask for generating near-field light having an intensity distribution. The photomask has a light-transmissible base member, and a light-blocking film. The film has a micro-aperture adapted to expose an object to near-field light seeping out f
What is claimed is: 1. A resist pattern forming method comprising: (a) preparing a photomask for generating near-field light, the photomask comprising: (i) a light-transmissible base member; and (ii) a light-blocking film provided on the base member, the film having a micro-aperture adapted to expo
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