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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0690089 (2007-03-22) |
등록번호 | US-7563696 (2009-07-29) |
우선권정보 | JP-1998-75195(1998-03-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 20 |
A semiconductor device manufacturing apparatus which uses a thermal CVD reaction to deposit a film onto a substrate has a ring with an electrode terminal that makes contact with either the substrate or the deposited film thereon, a power supply that applies a current or a potential to this electrode
What is claimed is: 1. A semiconductor device manufacturing method for depositing a film on a substrate by a thermal CVD reaction, wherein a raw material is vaporized to form a vapor phase deposition material, and said film is deposited on said substrate while a d.c. electrical potential is applied
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