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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0675258 (2003-09-30) |
등록번호 | US-7566964 (2009-08-05) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 29 |
An integrated circuit device structure and a process for fabricating the structure wherein the power bus interconnect structure is formed in the aluminum pad or contact layer. An interconnect structure for interconnecting underlying levels of interconnect can also be formed in the aluminum pad layer
What is claimed is: 1. An integrated circuit device comprising: a metallization interconnect system overlying a semiconductor substrate, the metallization interconnect system including at least a first and a second interconnect feature located within a dielectric layer; a power bus located over the
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