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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0674065 (2007-02-12) |
등록번호 | US-7569458 (2009-08-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 10 |
A method of non-thermal annealing of a silicon wafer comprising irradiating a doped silicon wafer with electromagnetic radiation in a wavelength or frequency range coinciding with lattice phonon frequencies of the doped semiconductor material. The wafer is annealed in an apparatus including a cavity
The invention claimed is: 1. A method for annealing a doped semiconductor material comprising: non-thermally annealing the doped semiconductor material by directing a beam of electromagnetic radiation onto the doped semiconductor material at a frequency in the Terahertz (THz) range and a wavelength
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