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특허 상세정보

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Vertical gallium-nitride based light emitting diode

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-033/00   
미국특허분류(USC) 257/103; 257/080; 257/081; 438/022; 438/069
출원번호 UP-0634112 (2006-12-06)
등록번호 US-7573076 (2009-08-25)
우선권정보 KR-10-2005-0117958(2005-12-06)
발명자 / 주소
  • Baik, Doo Go
  • Oh, Bang Won
  • Choi, Seok Beom
  • Lee, Su Yeol
출원인 / 주소
  • Samsung Electro Mechanics Co., Ltd.
대리인 / 주소
    McDermott Will & Emery LLP
인용정보 피인용 횟수 : 4  인용 특허 : 1
초록
▼

A vertical GaN-based LED and a method of manufacturing the same are provided. The vertical GaN-based LED can prevent the damage of an n-type GaN layer contacting an n-type electrode, thereby stably securing the contact resistance of the n-electrode. The vertical GaN-based LED includes: a support layer; a p-electrode formed on the support layer; a p-type GaN layer formed on the p-electrode; an active layer formed on the p-type GaN layer; an n-type GaN layer for an n-type electrode contact, formed on the active layer; an etch stop layer formed on the n-typ...

대표
청구항
▼

What is claimed is: 1. A vertical gallium-nitride (GaN)-based light emitting diode (LED) comprising: a support layer; a p-electrode formed on the support layer; a p-type GaN layer formed on the p-electrode; an active layer formed on the p-type GaN layer; an n-type GaN layer for an n-type electrode contact, formed on the active layer; an etch stop layer formed on the n-type GaN layer to expose a portion of the n-type GaN layer; and an n-electrode formed on the n-type GaN layer exposed by the etch stop layer. 2. The vertical GaN-based LED according to ...

인용문헌 (1)

  1. Krause Stanley J. (Northridge CA), Solar cell with integrated interconnect device and process for fabrication thereof.

이 특허를 인용한 특허 (4)

  1. Chen, Jun-Rong; Kuo, Chi-Wen; Huang, Kun-Fu; Chu, Jui-Yi; Fang, Kuo-Lung, Light-emitting diode chip structure and fabrication method thereof.
  2. Lin, Li Min; Chan, Ka Wah; Zheng, Sheng Mei; Cai, Yong, Optimization of polishing stop design.
  3. Chu, Hung Shen; Cai, Yong, Vertical light emitting diode and method of making a vertical light emitting diode.
  4. Lin, Limin; Shao, Xiangfeng, Vertical light emitting diode device structure and method of fabricating the same.

IPC 상위 출원인