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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0797419 (2007-05-03) |
등록번호 | US-7575952 (2009-08-31) |
우선권정보 | JP-2005-319244(2005-11-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 2 |
A method of manufacturing a semiconductor device having an organic semiconductor film comprises a step of preparing a transparent substrate at least having an opaque gate electrode and a gate insulator thereover, a step of forming a layer containing metal-nano-particles as a conductive layer for a s
What is claimed is: 1. A method of manufacturing a semiconductor device having an organic semiconductor film, comprising: forming a gate electrode on a substrate, forming a gate insulator, said gate insulator being more hydrophobic or more hydrophilic than a surface of said substrate, by anodizing
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