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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0454397 (2006-06-16) |
등록번호 | US-7585768 (2009-09-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 11 |
A method of filling gaps in dielectric layers is disclosed. A wafer is provided having a dielectric layer containing gaps to be filled with copper, some of the gaps, denoted deeper gaps, having aspect ratios so large that filling these gaps with copper using ECP could result in pinhole like voids.
What is claimed is: 1. A method of filling an opening comprising: providing a substrate prepared with a dielectric layer with an opening with upper and lower portions, the opening having an aspect ratio; forming a metal barrier layer, the metal barrier layer lining the sides and bottom of the openi
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