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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0376520 (2006-03-14) |
등록번호 | US-7589348 (2009-09-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 69 |
A thermionic or thermotunneling gap diode device consisting of two silicon electrodes maintained at a desired distance from one another by means of spacers. These spacers are formed by oxidizing one electrode, protecting certain oxidized areas and removing the remainder of the oxidized layer. The pr
The invention claimed is: 1. A thermionic or thermotunneling gap diode device comprising: a) a pair of electrodes having surfaces substantially facing one another; b) spacers comprising silicon oxide topped by a dot of protective layer, wherein said protective layer is present only as a part of sai
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