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Charged particle beam device with detection unit switch and method of operation thereof 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01J-037/30
출원번호 UP-0550177 (2004-03-18)
등록번호 US-7592590 (2009-10-20)
우선권정보 EP-03006716(2003-03-24)
국제출원번호 PCT/EP04/002841 (2004-03-18)
§371/§102 date 20060612 (20060612)
국제공개번호 WO04/086452 (2004-10-07)
발명자 / 주소
  • Frosien, Jüergen
출원인 / 주소
  • ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH
대리인 / 주소
    Patterson & Sheridan, L.L.P.
인용정보 피인용 횟수 : 3  인용 특허 : 14

초록

The invention provides a charged particle beam device and a method of operation thereof. An emitter (2) emits a primary charged particle beam (12). Depending on the action of a deflection system, which comprises at least three deflection stages (14), it can be switched between at least two detection

대표청구항

The invention claimed is: 1. A charged particle beam device, comprising: a charged particle emitter for emitting a primary charged particle beam; a deflection system, comprising three deflection stages, wherein the deflection system is arranged for deflecting the primary charged particle beam and s

이 특허에 인용된 특허 (14)

  1. Muraki,Masato; Ohta,Hiroya, Aberration adjusting method, device fabrication method, and charged particle beam lithography machine.
  2. Iwasaki,Yuichi; Muraki,Masato; Tamamori,Kenji; Asano,Kouji; Esashi,Masayoshi; Nakayama,Yoshinori; Hashimoto,Shinichi; Moro,Yoshiaki, Deflector, method of manufacturing deflector, and charged particle beam exposure apparatus.
  3. Nakasuji,Mamoru; Kato,Takao; Kimba,Toshifumi; Satake,Tohru, Electron beam apparatus, a pattern evaluation method and a device manufacturing method using the electron beam apparatus or pattern evaluation method.
  4. Kamiya,Chisato; Akatsu,Masahiro; Sato,Mitsugu, Electron beam device.
  5. Kochi, Nobuo; Koike, Hirotami, Electron beam device and method for stereoscopic measurements.
  6. Muraki Masato,JPX, Electron beam exposure apparatus.
  7. Meisberger Dan (San Jose CA) Brodie Alan D. (Palo Alto CA) Desai Anil A. (San Jose CA) Emge Dennis G. (San Jose CA) Chen Zhong-Wei (Palo Alto CA) Simmons Richard (Los Altos CA) Smith Dave E. A. (San , Electron beam inspection system and method.
  8. Ono,Haruhito; Muraki,Masato, Electrooptic system array, charged-particle beam exposure apparatus using the same, and device manufacturing method.
  9. Sakakibara,Makoto; Nakayama,Yoshinori; Ohta,Hiroya; Sohda,Yasunari; Tanaka,Noriyuki; Someda,Yasuhiro, Measurement method of electron beam current, electron beam writing system and electron beam detector.
  10. Brust Hans-Detlef (Dudweiler DEX), Method and arrangement for detecting secondary particles triggered on a specimen by a primary particle beam.
  11. Nozoe, Mari; Nishiyama, Hidetoshi; Hijikata, Shigeaki; Watanabe, Kenji; Abe, Koji, Method of inspecting pattern and inspecting instrument.
  12. Sato Mitsugu (Katsuta JPX) Ose Yoichi (Mito JPX) Fukuhara Satoru (Katsuta JPX) Todokoro Hideo (Tokyo JPX) Ezumi Makoto (Katsuta JPX), Scanning electron microscope.
  13. Iwabuchi Yuko,JPX ; Sato Mitsugu,JPX ; Ose Yoichi,JPX, Scanning electron microscope and its analogous device.
  14. Sawahata, Tetsuya; Sato, Mitsugu, Scanning electron microscope and sample observation method using the same.

이 특허를 인용한 특허 (3)

  1. Knippelmeyer, Rainer; Kienzle, Oliver; Kemen, Thomas; Mueller, Heiko; Uhlemann, Stephan; Haider, Maximilian; Casares, Antonio; Rogers, Steven, Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements.
  2. Knippelmeyer, Rainer; Kienzle, Oliver; Kemen, Thomas; Mueller, Heiko; Uhlemann, Stephan; Haider, Maximilian; Casares, Antonio; Rogers, Steven, Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements.
  3. Knippelmeyer, Rainer; Kienzle, Oliver; Kemen, Thomas; Mueller, Heiko; Uhlemann, Stephan; Haider, Maximillian; Casares, Antonio; Rogers, Steven, Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements.
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