최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | UP-0637531 (2003-08-11) |
등록번호 | US-7608172 (2009-11-10) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 13 |
The method manufactures high-purity ferromagnetic sputter targets by cryogenic working the sputter target blank at a temperature below at least-50° C. to impart at least about 5 percent strain into the sputter target blank to increase PTF uniformity of the target blank. The sputter target blank is a
We claim: 1. A high-purity nonferrous sputter target, the nonferrous sputter target having a sputter source selected from the group consisting of cobalt, the sputter source having a top surface for sputtering metal atoms onto a substrate, a side edge, a purity of at least about 99.99 weight percent
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.