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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0881445 (2004-06-30) |
등록번호 | US-7611912 (2009-11-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 21 인용 특허 : 13 |
An MRAM structure is disclosed in which the bottom electrode has an amorphous TaN capping layer to consistently provide smooth and dense growth for AFM, pinned, tunnel barrier, and free layers in an overlying MTJ. Unlike a conventional Ta capping layer, TaN is oxidation resistant and has high resist
We claim: 1. A method of forming an MRAM structure on a substrate, comprising: (a) forming a bottom electrode that is comprised of a seed layer on a substrate, a Ru, Rh, or Ir conductive layer on the seed layer, and an α-TaN capping layer on the conductive layer wherein the capping layer forms
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