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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0236112 (2005-09-26) |
등록번호 | US-7625793 (2009-12-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 38 인용 특허 : 286 |
A double-diffused metal-oxide-semiconductor ("DMOS") field-effect transistor with an improved gate structure. The gate structure includes a first portion of a first conductivity type for creating electron flow from the source to the drain when a charge is applied to the gate. The gate structure incl
What is claimed is: 1. A method comprising: (a) forming a body region of a first conductivity type in a semiconductor substrate having a drain region of a second conductivity type; (b) forming a source region of the second conductivity type in the body region; (c) forming a trench with a bottom and
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