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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0569942 (2004-09-01) |
등록번호 | US-7625808 (2009-12-16) |
우선권정보 | JP-2003-309239(2003-09-01) |
국제출원번호 | PCT/JP04/012633 (2004-09-01) |
§371/§102 date | 20060228 (20060228) |
국제공개번호 | WO05/022610 (2005-03-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 6 |
A thickness of silicon oxide film of a wafer for active layer is controlled to be thinner than that of buried silicon oxide film. Consequently, uniformity in film thickness of the active layer of a bonded wafer is improved even if a variation in the in-plane thickness of the silicon oxide film is l
What is claimed is: 1. A method for manufacturing a bonded wafer, comprising: ion-implanting a light element into a wafer for active layer at a predetermined depth via an insulating film that has been formed thereon to form an ion-implanted area in said active layer wafer; subsequently bonding said
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