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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0778571 (2007-07-16) |
등록번호 | US-7626846 (2009-12-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 78 |
A media for an information storage device includes a substrate of single-crystal silicon, a buffer layer of an epitaxial single crystal insulator formed over the substrate, a bottom electrode layer of an epitaxial single crystal conductor formed over the buffer layer, a ferroelectric layer of an epi
The invention claimed is: 1. A media for an information storage device comprising: a substrate of single-crystal silicon; a buffer layer of an epitaxial single crystal insulator formed over the substrate; a bottom electrode layer of an epitaxial single crystal conductor formed over the buffer layer
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