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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0587399 (2005-01-06) |
등록번호 | US-7632478 (2009-12-24) |
우선권정보 | DE-10 2004 010 055(2004-03-02) |
국제출원번호 | PCT/EP05/050043 (2005-01-06) |
§371/§102 date | 20060727 (20060727) |
국제공개번호 | WO05/085133 (2005-09-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 13 |
The present invention relates to a process for producing silicon by thermal decomposition of a gaseous mixture comprising monosilane, monochlorosilane and, if desired, further chlorosilanes, e.g. dichlorosilane.
The invention claimed is: 1. A process for producing high-purity silicon, comprising thermally decomposing a gas phase mixture comprising monosilane and a monochlorosilane, and depositing silicon, wherein the thermal decomposition and deposition are carried out at a temperature in a range from 600
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