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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0272914 (2008-11-18) |
등록번호 | US-7633006 (2009-12-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 34 인용 특허 : 18 |
In one embodiment, a back side contact solar cell includes a tunnel oxide layer formed on a back side of a substrate. A polysilicon layer is formed on the tunnel oxide layer, and dopant sources are formed on the polysilicon layer. Dopants from the dopant sources are diffused into the polysilicon lay
What is claimed is: 1. A method of fabricating a back side contact solar cell, the method comprising: forming a first oxide layer over a back side of a solar cell substrate; forming a first polysilicon layer over the first oxide layer; forming a p-type dopant source and an n-type dopant source over
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