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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0222903 (2005-09-09) |
등록번호 | US-7642112 (2010-02-11) |
우선권정보 | JP-2004-262966(2004-09-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 14 |
A method of manufacturing a bonded substrate stack includes a bonding surface processing step of processing at least one of first and second substrates each containing silicon and having a bonding surface, and a bonding step of bonding the bonding surface of the first substrate and the bonding surfa
What is claimed is: 1. A method of manufacturing a bonded substrate stack comprising: increasing a concentration of OH groups to ≧5×1013 atoms/cm2 on a surface of a first substrate which contains silicon; cleaning the surface of the first substrate with pure water; heating the first sub
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