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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0928456 (2007-10-30) |
등록번호 | US-7651929 (2010-02-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 16 |
A semiconductor structure with an insulating layer on a silicon substrate, a plurality of electrically-isolated silicon-on-insulator (SOI) regions separated from the substrate by the insulating layer, and a plurality of electrically-isolated silicon bulk regions extending through the insulating laye
What is claimed is: 1. A method of fabricating a semiconductor structure on a silicon substrate and covered by an insulating layer, the method comprising: forming a plurality of first amorphous silicon features on the insulating layer that are separated from the substrate by the insulating layer; f
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