$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

Plating bath and surface treatment compositions for thin film deposition 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C23C-018/34
  • C23C-018/36
출원번호 UP-0433825 (2006-05-15)
등록번호 US-7655081 (2010-03-31)
발명자 / 주소
  • Dai, Haixia
  • Pakbaz, Khashayar
  • Spaid, Michael
  • Nikiforov, Theo
출원인 / 주소
  • Siluria Technologies, Inc.
대리인 / 주소
    Foley & Lardner LLP
인용정보 피인용 횟수 : 3  인용 특허 : 23

초록

An aqueous substrate surface treatment composition includes cysteine and an acidic solution having a pH of about 7 or less. The composition enables a selective deposition of a metal ion sensitizer and a subsequent selective plating of a metallic cap layer. Various CoWP plating bath compositions are

대표청구항

What is claimed is: 1. An aqueous CoWP plating bath composition, comprising: a cobalt salt; a reducing agent; a metal chelator; a buffer; and a tungstate salt; wherein a ratio of molar concentrations of the cobalt salt to the reducing agent is from about 1:3 to about 1:5, and a ratio of molar conce

이 특허에 인용된 특허 (23)

  1. Kolics, Artur; Petrov, Nicolai; Ting, Chiu; Ivanov, Igor, Activation-free electroless solution for deposition of cobalt and method for deposition of cobalt capping/passivation layer on copper.
  2. Shacham-Diamand, Yosi; Sverdlov, Yelena, Cobalt tungsten phosphorus electroless deposition process and materials.
  3. Hsiung Chiung-Sheng,TWX ; Hsieh Wen-Yi,TWX ; Lur Water,TWX, Copper damascene technology for ultra large scale integration circuits.
  4. Winter, Charles H.; Yu, Zhengkun; Dezelah, IV, Charles L., Copper nanocrystals and methods of producing same.
  5. Chen,Qingyun; Valverde,Charles; Paneccasio,Vincent; Petrov,Nicolai; Stritch,Daniel; Witt,Christian; Hurtubise,Richard, Defectivity and process control of electroless deposition in microelectronics applications.
  6. Bojkov,Christo P.; Torres,Orlando F., Direct bumping on integrated circuit contacts enabled by metal-to-insulator adhesion.
  7. Dubin Valery M. ; Shacham-Diamand Yosef ; Ting Chiu H. ; Zhao Bin ; Vasudev Prahalad K., Electroless CU deposition on a barrier layer by CU contact displacement for ULSI applications.
  8. Shacham-Diamand Yosi ; Dubin Valery M. ; Ting Chiu H. ; Zhao Bin ; Vasudev Prahalad K., Electroless deposition equipment or apparatus and method of performing electroless deposition.
  9. Kong, Bob; Li, Nanhai, Electroless plating solution and process.
  10. Goldstein Avery N., Integrated circuit trenched features and method of producing same.
  11. Goldstein, Avery N., Integrated circuit trenched features and method of producing same.
  12. Goldstein, Avery N., Integrated circuit trenched features and method of producing same.
  13. Sambucetti, Carlos Juan; Rubino, Judith Marie; Edelstein, Daniel Charles; Cabral, Jr., Cyryl; Walker, George Frederick; Gaudiello, John G; Wildman, Horatio Seymour, Method for forming Co-W-P-Au films.
  14. Lefkowitz, Robert J.; Lohse, Martin J.; Benovic, Jeffrey L.; Caron, Marc G., Method of detecting inhibitors of agonist-specific desensitization.
  15. Segawa, Yuji; Yoshio, Akira; Suzuki, Masatoshi; Watanabe, Katsumi; Sato, Shuzo, Method of electroless plating and electroless plating apparatus.
  16. Winter, Charles H.; Yu, Zhengkun; Dezelah, IV, Charles L.; Goldstein, Avery N., Methods of filling a feature on a substrate with copper nanocrystals.
  17. Shang, Quanyuan; White, John M.; Bachrach, Robert Z.; Law, Kam S., Methods to form metal lines using selective electrochemical deposition.
  18. Chad A. Mirkin ; Robert L. Letsinger ; Robert C. Mucic ; James J. Storhoff ; Robert Elghanian, Nanoparticles having oligonucleotides attached thereto and uses therefor.
  19. Anders, Simone; Sun, Shouheng, Process of forming a multilayer nanoparticle-containing thin film self-assembly.
  20. Sahota, Kashmir S.; Martin, Jeremy; Huang, Richard J.; Xie, James J., Semiconductor component and method of manufacture.
  21. Weiss Shimon ; Bruchez Marcel ; Alivisatos Paul, Semiconductor nanocrystal probes for biological applications and process for making and using such probes.
  22. Siiman Olavi ; Matijevic Egon ; Sondi Ivan, Semiconductor nanoparticles for analysis of blood cell populations and methods of making same.
  23. Dubin Valery M. (Cupertino CA) Schacham-Diamand Yosi (Ithaca NY) Zhao Bin (Irvine CA) Vasudev Prahalad K. (Austin TX) Ting Chiu H. (Saratoga CA), Use of cobalt tungsten phosphide as a barrier material for copper metallization.

이 특허를 인용한 특허 (3)

  1. Wirth, Alexandra, Compositions for the currentless deposition of ternary materials for use in the semiconductor industry.
  2. Lowenthal, Mark David; Baldridge, Jeffrey; Lewandowski, Mark; Zheng, Lixin; Chesler, David Michael, Metallic nanofiber ink, substantially transparent conductor, and fabrication method.
  3. Yamazaki, Shunpei; Arai, Yasuyuki, Semiconductor device.
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로