최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | UP-0149131 (2008-04-28) |
등록번호 | US-7666719 (2010-04-09) |
우선권정보 | JP-2002-207540(2002-07-16) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 48 |
A peeling method is provided which does not cause damage to a layer to be peeled, and the method enables not only peeling of the layer to be peeled having a small area but also peeling of the entire layer to be peeled having a large area at a high yield. Further, there are provided a semiconductor d
What is claimed is: 1. A method of manufacturing a semiconductor device comprising: forming a nitride layer including hydrogen over a substrate; forming an oxide layer contacting with the nitride layer; forming an insulating film in contact with the oxide layer; forming a semiconductor film having
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.