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특허 상세정보

Beam-induced etching

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-021/302   
미국특허분류(USC) 438/709; 438/706; 438/708; 216/066
출원번호 UP-0102602 (2005-04-08)
등록번호 US-7670956 (2010-04-21)
발명자 / 주소
  • Bret, Tristan
  • Hoffmann, Patrik
  • Rossi, Michel
  • Multone, Xavier
출원인 / 주소
  • FEI Company
대리인 / 주소
    Meyertons, Hood, Kivlin, Kowert & Goetzel, P.C.
인용정보 피인용 횟수 : 12  인용 특허 : 19
초록

A method and apparatus for local beam processing using a beam activated gas to etch material are described. Compounds are disclosed that are suitable for beam-induced etching. The invention is particularly suitable for electron beam induced etching of chromium materials on lithography masks. In one embodiment, a polar compound, such as ClNO2 gas, is activated by the electron beam to selectively etch a chromium material on a quartz substrate. By using an electron beam in place of an ion beam, many problems associated with ion beam mask repair, such as sta...

대표
청구항

We claim as follow: 1. A method of repairing a photolithograph mask including excess chromium material on a quartz substrate, comprising: directing an electron beam toward the excess chromium material on the quartz substrate; directing a gas toward the excess chromium material, the gas including a gaseous compound including XNO, XNO2, or XONO2 in which X is a halogen, the gaseous compound reacting in the presence of the electron beam to etch the excess chromium material while not significantly etching the quartz substrate. 2. The method of claim 1 in...

이 특허에 인용된 특허 (19)

  1. Nagayama Tetsuji (Kanagawa JPX) Yanagida Toshiharu (Kanagawa JPX), Dry etching method.
  2. Yanagida Toshiharu (Kanagawa JPX), Dry etching method.
  3. Yanagida Toshiharu (Kanagawa JPX), Dry etching method.
  4. Musil, Christian R.; Casey, Jr., J. David; Gannon, Thomas J.; Chandler, Clive; Da, Xiadong, Electron beam processing.
  5. Doherty John A. (Sudbury MA) Ward Billy W. (Rockport MA) Shaver David C. (Carlisle MA), Focused ion beam processing.
  6. Kirch Steven J. (Lagrangeville NY) Levin James P. (Jericho VT) Wagner Alfred (Brewster NY), Gas delivery for ion beam deposition and etching.
  7. Casella Robert A. ; Libby Charles J. ; Rathmell Gary P., Gas delivery systems for particle beam processing.
  8. Rasmussen Jorgen (Beaverton OR), Gas injection system.
  9. Tao Tao (Somerville MA) Melngailis John (Newton MA), Ion beam induced deposition of metals.
  10. Lloyd Richard Harriott ; Anthony Edward Novembre, Mask repair.
  11. Ferranti, David C.; Szelag, Sharon M.; Casey, Jr., J. David, Method and apparatus for repairing lithography masks using a charged particle beam system.
  12. Baum Thomas Hall ; Comita Paul Brian ; Schellenberg Franklin Mark, Method for the repair of defects in lithographic masks.
  13. Sumito Shimizu JP, Method of repairing a mask with high electron scattering and low electron absorption properties.
  14. Haraichi Satoshi (Yokohama JPX) Itoh Fumikazu (Fujisawa JPX) Shimase Akira (Yokohama JPX) Takahashi Takahiko (Iruma JPX), Multilayered device micro etching method and system.
  15. Hiraoka Hiroyuki (Los Gatos CA), Nitrated polymers as positive resists.
  16. Casey ; Jr. J. David ; Doyle Andrew, Pattern film repair using a focused particle beam system.
  17. Komano Haruki,JPX ; Nakamura Hiroko,JPX ; Ogasawara Munehiro,JPX ; Masuda Satoshi,JPX ; Okumura Katsuya,JPX ; Ogawa Yoji,JPX, Photo mask and apparatus for repairing photo mask.
  18. D\Obrenan Jean V. (Le Chesnay FRX) Madigou Nicole (Montrouge FRX) Deriaud Thierry (Guebwiller FRX), Process and device for treating pollutant, fusible materials.
  19. Verdier Claude (Neauphle Le Chateau FRX) Leporcq Bruno (Paris FRX) Georges Eric (Buc FRX) Barraud Roger (Longjumeau FRX), Process and generator for generating atomic iodine in the fundamental state, and iodine chemical laser employing such.