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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0710924 (2007-02-27) |
등록번호 | US-7679193 (2010-04-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 25 |
A copper interconnect structure is disclosed as comprising a copper layer and an aluminum nitride layer formed over the copper layer. The aluminum nitride layer passivates the copper layer surface and enhances the thermal conductivity of a semiconductor substrate by radiating heat from the substrate
What is claimed as new and desired to be protected by Letters Patent of the United States is: 1. An interconnect structure providing electrical connection in a semiconductor device, the interconnect structure comprising: a first conductive plug; a plurality of second conductor plugs stacked over th
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