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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0994025 (2006-05-30) |
등록번호 | US-7686985 (2010-04-23) |
우선권정보 | JP-2005-187554(2005-06-28); JP-2005-313219(2005-10-27) |
국제출원번호 | PCT/JP2006/310734 (2006-05-30) |
§371/§102 date | 20071227 (20071227) |
국제공개번호 | WO07/000867 (2007-01-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 6 |
Provided is a high density gallium oxide-zinc oxide series sintered body sputtering target for forming a transparent conductive film containing 20 to 500 mass ppm of aluminum oxide. In a gallium oxide (Ga2O3)-zinc oxide (ZnO) series sputtering target (GZO series target) for forming a transparent con
The invention claimed is: 1. A gallium oxide-zinc oxide series sintered body sputtering target containing 20 to 500 mass ppm of aluminum oxide and having a sintered density of 5.55 g/cm3 or higher. 2. The gallium oxide-zinc oxide series sintered body sputtering target according to claim 1, contai
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