[특허]Intermediate semiconductor device structure

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Intermediate semiconductor device structure 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-029/00
출원번호	UP-0690319 (2003-10-20)
등록번호	US-7687879 (2010-04-23)
발명자 / 주소	Gleason, Jeffery N.
출원인 / 주소	Micron Technology, Inc.
대리인 / 주소	TraskBritt
인용정보	피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 10

초록 ▼

The present invention relates to a method of forming a metal feature on an intermediate structure of a semiconductor device that comprises a first exposed metal structure and a second exposed metal structure. The metal feature is selectively formed on the first exposed metal structure without forming on the second exposed metal structure. By adjusting a concentration of stabilizer in an electroless plating solution, the metal feature is electrolessly plated on the first exposed metal structure without plating metal on the second exposed metal structure.

대표청구항 ▼

What is claimed is: 1. An intermediate structure of a semiconductor device comprising: at least one exposed open fuse structure on the intermediate structure of the semiconductor device; and a metal feature on an exposed metal structure of the intermediate structure of the semiconductor device, wherein a metal of the metal feature is present on the exposed metal structure and is not present on the at least one exposed open fuse structure. 2. The intermediate structure of claim 1, wherein the metal feature comprises an electrolessly plated metal feature. 3. The intermediate structure of claim 1, wherein the metal feature is a metal layer, an interconnect cap, a redistribution layer, or a bond pad. 4. The intermediate structure of claim 1, wherein the metal feature is a metal layer. 5. The intermediate structure of claim 1, wherein the metal feature comprises a nickel, palladium, gold, tin, silver, or copper feature. 6. The intermediate structure of claim 1, wherein the metal feature comprises a nickel feature. 7. The intermediate structure of claim 1, wherein the exposed metal structure comprises at least one bond pad. 8. The intermediate structure of claim 1, wherein the intermediate structure is an intermediate structure of an SRAM or Flash memory chip.

이 특허에 인용된 특허 (10)

Sricharoenchaikit Prasit (Millis) Calabrese Gary S. (North Andover) Gulla Michael (Millis MA), Controlled electroless plating.
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Tench, D. Morgan; Warren, Jr., Leslie F.; White, John T., Controlled plating on reactive metals.
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Nakazawa Masao (Nagano JPX) Yoshitani Masaaki (Ueda JPX) Wakabayashi Shinichi (Nagano JPX), Electroless gold plating solutions.
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Marr Kenneth W. ; Violette Michael P., Fuse for use in a semiconductor device.
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Gerald Motulla DE, Method and device for determining a parameter for a metallization bath.
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Krueger David J ; Neuhalfen Andrew J., Printed circuit board assembly having an integrated fusible link.
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Manley Martin, Programmable fuse and method therefor.
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Ueda Tetsuya,JPX ; Tamaoka Eiji,JPX ; Aoi Nobou,JPX ; Nakagawa Hideo,JPX, Semiconductor device and method of fabricating the same.
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Sekiguchi Mitsuru,JPX ; Yamanaka Michinari,JPX, Semiconductor device having improved lamination-structure reliability for buried layers, silicide films and metal films, and a method for forming the same.
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Wang Zhongze ; Violette Michael P. ; Trivedi Jigish, Semiconductor fuses, methods of using the same, methods of making the same, and semiconductor devices containing the same.
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관련 콘텐츠

특허 원문 보기

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IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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