최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | UP-0722811 (2005-10-21) |
등록번호 | US-7700400 (2010-05-20) |
우선권정보 | JP-2004-376603(2004-12-27) |
국제출원번호 | PCT/JP2005/019383 (2005-10-21) |
§371/§102 date | 20070626 (20070626) |
국제공개번호 | WO06/075426 (2006-07-20) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 6 |
The present invention can finely arrange p+-type diffusion layers and n+-type diffusion layers. A p+-type diffusion layer 2 and an n+-type diffusion layer 3 are simultaneously formed on a back surface 1a of a semiconductor substrate 1 in a state that the p+-type diffusion layer 2 and the n+-type dif
The invention claimed is: 1. A manufacturing method of a back-contact-type solar cell in which a linear p+-type diffusion layer and a linear n+-type diffusion layer are alternately formed on a back surface of a semiconductor substrate and positive and negative back surface electrodes are separately
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.