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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0483108 (2006-07-10) |
등록번호 | US-7709837 (2010-06-03) |
우선권정보 | JP-8-26210(1996-01-19); JP-8-26037(1996-01-20); JP-8-32874(1996-01-26); JP-8-32875(1996-01-26); JP-8-32981(1996-01-27); JP-8-58334(1996-02-20); JP-8-88759(1996-03-17); JP-8-324645(1996-11-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 291 |
Nickel is selectively held in contact with a particular region of an amorphous silicon film. Crystal growth parallel with a substrate is effected by performing a heat treatment. A thermal oxidation film is formed on the silicon film by performing a heat treatment in an oxidizing atmosphere containin
What is claimed is: 1. An electronic device comprising: a camera section; and a display device, the display device comprising: a substrate; and an active matrix circuit comprising at least one thin film transistor over the substrate, wherein the thin film transistor comprises a channel region comp
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