$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

Method of manufacturing an SOI substrate and method of manufacturing a semiconductor device

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/331
  • H01L-021/8222
출원번호 UP-0213137 (2008-06-16)
등록번호 US-7727846 (2010-06-22)
발명자 / 주소
  • Ohnuma, Hideto
  • Imahayashi, Ryota
  • Iikubo, Yoichi
  • Makino, Kenichiro
  • Nagamatsu, Sho
출원인 / 주소
  • Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd
대리인 / 주소
    Robinson, Eric J.
인용정보 피인용 횟수 : 8  인용 특허 : 4

초록

It is an object of the present invention is to provide a method of manufacturing an SOI substrate provided with a single-crystal semiconductor layer which can be practically used even when a substrate having a low heat-resistant temperature, such as a glass substrate or the like, is used, and furthe

대표청구항

What is claimed is: 1. A method of manufacturing a silicon-on-insulator (SOI) substrate, comprising: irradiating one surface of a semiconductor substrate with an ion to form an embrittlement layer at a given depth from the one surface of the semiconductor substrate; forming an insulating layer over

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. Hiroji Aga JP; Naoto Tate JP; Kiyoshi Mitani JP, Method of Fabricating SOI wafer by hydrogen ION delamination method and SOI wafer fabricated by the method.
  2. Yamazaki, Shunpei; Ohtani, Hisashi, Method of fabricating a semiconductor device.
  3. Shunpei Yamazaki JP, Method of manufacturing a semiconductor device.
  4. Bruel Michel (Veurey FRX), Process for the production of thin semiconductor material films.

이 특허를 인용한 특허 (8)

  1. Koyama, Masaki; Momo, Junpei; Higa, Eiji; Honda, Hiroaki; Moriwaka, Tamae; Shimomura, Akihisa, Manufacturing method of SOI semiconductor device.
  2. Ohnuma, Hideto; Makino, Kenichiro; Iikubo, Yoichi; Nagai, Masaharu; Shiga, Aiko, Method for manufacturing SOI substrate.
  3. Yamazaki, Shunpei, Method for manufacturing SOI substrate.
  4. Akiyama, Shoji, Method for manufacturing bonded wafer.
  5. Shimomura, Akihisa; Momo, Junpei; Isaka, Fumito, Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device and electronic device.
  6. Yamazaki, Shunpei, Method for manufacturing semiconductor substrate.
  7. Ohnuma, Hideto; Imahayashi, Ryota; Iikubo, Yoichi; Makino, Kenichiro; Nagamatsu, Sho, Method of manufacturing an SOI substrate and method of manufacturing a semiconductor device.
  8. Yamazaki, Shunpei, Portable semiconductor device including transistor with oxide semiconductor layer.
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트