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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0804082 (2007-05-17) |
등록번호 | US-7740723 (2010-07-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 10 |
A precious metal sputter target has a composition selected from the group consisting of platinum, palladium, rhodium, iridium, ruthenium, osmium and single-phase alloys thereof. The sputter target's grain structure is at least about 99 percent recrystallized and has a grain size of less than about 2
We claim: 1. A method of forming sputter targets comprising the steps of: a) cooling a target blank to a temperature of less than about −50° C., the target blank having grains having an initial grain size and a composition selected from the group consisting of platinum, palladium, rhodi
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