검색연산자 | 기능 | 검색시 예 |
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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | B32B-005/18 |
미국특허분류(USC) | 428/613; 428/660; 428/662; 428/670; 252/181.6 |
출원번호 | UP-0152490 (2008-05-13) |
등록번호 | US-7745014 (2010-07-19) |
우선권정보 | IT-MI2003A1178(2003-06-11) |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 | |
대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 20 |
Getter multilayer structures are disclosed, embodiments of which include at least a layer of a non-evaporable getter alloy having a low activation temperature over a layer of a different non-evaporable getter material having high specific surface area, both preferably obtained by cathodic deposition. The multilayer NEG structures exhibit better gas sorbing characteristics and lower activation temperature lower than those of deposits made up of a single material. A process for manufacturing such structures includes depositing a first, high surface area NE...
We claim: 1. A microelectromechanical device comprising a multilayer non-evaporable getter structure, wherein the getter structure comprises: a first layer comprising a non-evaporable getter material having a surface area equivalent to at least 20 times its geometrical area, and a second layer directly contacting the first layer, the second layer having a thickness not greater than 1 μm and comprising a non-evaporable getter alloy having a low activation temperature. 2. The device of claim 1, wherein the second layer fully covers the first laye...