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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0195263 (2008-08-20) |
등록번호 | US-7745329 (2010-07-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 19 인용 특허 : 289 |
In one embodiment, a method for forming a tungsten barrier material on a substrate is provided which includes depositing a tungsten layer on a substrate during a vapor deposition process and exposing the substrate sequentially to a tungsten precursor and a nitrogen precursor to form a tungsten nitri
The intention claimed is: 1. A method for forming a tungsten layer, comprising: depositing a tungsten layer on a substrate; and repeatedly exposing the substrate to sequential pulses of a tungsten precursor and a nitrogen precursor to form a tungsten nitride layer over the tungsten layer. 2. The
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