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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0360419 (2009-01-27) |
등록번호 | US-7767547 (2010-08-24) |
우선권정보 | JP-2008-026447(2008-02-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 6 |
An SOI substrate is manufactured by a method in which a first insulating film is formed over a first substrate over which a plurality of first single crystal semiconductor films is formed; the first insulating film is planarized; heat treatment is performed on a single crystal semiconductor substrat
What is claimed is: 1. A method for manufacturing an SOI substrate comprising the steps of: forming a plurality of first single crystal semiconductor films over a first substrate having an insulating surface with intervals between the plurality of first single crystal semiconductor films; forming a
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