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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0186923 (2008-08-06) |
등록번호 | US-7772119 (2010-08-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 15 |
A high tensile stress capping layer on Cu interconnects in order to reduce Cu transport and atomic voiding at the Cu/dielectric interface. The high tensile dielectric film is formed by depositing multiple layers of a thin dielectric material, each layer being under approximately 50 angstroms in thic
What is claimed is: 1. A method for forming a semiconductor device, comprising the steps of: providing a dielectric layer with at least one conductive interconnect partially embedded therein; depositing a compressive capping layer on said dielectric layer and said at least one conductive interconne
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