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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0277352 (2008-11-25) |
등록번호 | US-7781308 (2010-09-13) |
우선권정보 | JP-2007-312668(2007-12-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 6 |
A second single crystal semiconductor film is formed over a first single crystal semiconductor film; a separation layer is formed by addition of ions into the second single crystal semiconductor film; a second insulating film functioning as a bonding layer is formed over the second single crystal se
What is claimed is: 1. A method for manufacturing an SOI substrate comprising the steps of: preparing a first SOI substrate in which a first single crystal semiconductor film is provided over a first substrate with a first insulating film interposed therebetween; preparing a second substrate formed
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