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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0734958 (2007-04-13) |
등록번호 | US-7790599 (2010-09-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 6 |
A structure and method of forming an improved metal cap for interconnect structures is described. The method includes forming an interconnect feature in an upper portion of a first insulating layer; deposing a dielectric capping layer over the interconnect feature and the first insulating layer; dep
What is claimed is: 1. A method of fabricating an interconnect structure, the method comprising: forming an interconnect feature in an upper portion of a first insulating layer; deposing a dielectric capping layer over said interconnect feature and said first insulating layer; depositing a second i
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