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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0223210 (2005-09-12) |
등록번호 | US-7795660 (2010-10-04) |
우선권정보 | DE-10 2004 044 619(2004-09-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 11 |
A capacitor structure includes: a number of conductive regions of metallic and/or semiconducting materials and/or conductive metal compounds thereof, the conductive regions being arranged as stacked layers in a trench structure of a semiconductor device; and a dielectric surrounding the conductive r
The invention claimed is: 1. A semiconductor device, comprising: a trench structure; a capacitor structure comprising: a plurality of conductive regions of metallic and/or semiconducting materials and/or conductive metal compounds thereof, the conductive regions being arranged as stacked layers in
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